*** Plasma Etch/RIE Equipment ***
. Wafer Size: 2″ – 6″ Capability . Wafer Loading: 3-axis Robot . Plasma Power: 13.56MHz Aircooling RF Generator, 300W/600W . Type: Downstream Reactor Structure, Parallel/Single Wafer Process; Stand-Alone . Gas Lines: Up to 3 Lines with MFC, NF3,O2,He . Low Damage: CV:<0.1V from control, Mobile Ion:<1-2 E10, . Vt :0% total shift on 98% of points tested no shift >5%
■ Features
1. 생산 검증된 플라즈마 식각 시스템.
2. 일체형 로봇 웨이퍼 핸들링, 단일 웨이퍼 공정 지원.
3. 높은 PR 선택성(산화막:PR, SiN:산화물 비율 > 10:1).
4. 전면 및 후면 등방성 제거.
5. 웨이퍼 간 일관된 공정 주기 반복성.
6. 20~120°C 온도 제어.
7. 50mm~150mm 웨이퍼 처리 가능. 최대 6.25인치 substrate.
8. 하드웨어 변경 없이 최대 4가지 웨이퍼 크기 지원.
9. 고정형 카세트 스테이션 및 웨이퍼 정렬/냉각 스테이션.
10. 50um 두께 웨이퍼 처리 가능.
11. 고급 Allwin21 소프트웨어가 탑재된 PC 컨트롤러.
12. Allwin21 SLOPE 기술을 이용한 Endpoint detection (EOP) (optional).
13. MFC를 사용한 최대 3개 가스 라인 지원.
14. Air-Cooled 300W 또는 600W MKS 13.56MHz RF Generator.
15. 스로틀 밸브를 이용한 압력 제어.
16. 15인치 터치스크린 모니터 GUI.
17. EMO, Interlocks, and Watchdog function.
18. GEM/SECS II (optional).
19. Dimension : 27”W x 40”D x 59”H (280 파운드)
■ Specifications
1. Wafer 사이즈: Up to 6.25 inch.
2. 온도 : 20-120ºC (±2ºC)
3. Gas Lines : Up to four gas lines with MFCs.
4. >2000 A/min. Thermo Oxide,>16000A/min.LPCVD Nitride
5. Uniformity : <±3~5%
6. Particulate: <0.15 /cm2 (0.3um or greater)
7. Damage : CV:<0.1V from control;
Mobile Ion:<1-2 E10 ; Vt :0%
total shift on 98% of points tested no shift >5%
8. Selectivity: >10:1(Oxide:PR, SiN:Oxide)
9. MTBF/MTTA/MTTR: 450 Hours/100 Hours/3.5 Hours or Better.
10. 95% uptime
