HOME > 제품소개 > 반도체 연구장비
반도체-신소재-나노/MEMS 연구장비
플라즈마 애셔 및 데스컴 장비 AW-105R

AW-105R Plasma Asher Descum Clean Equipment




* Wafer Size: 2″ – 6″ Capability * Wafer Loading: 3-axis Robot; Stationary Cassette Plate (Video) * Plasma Power: 600W Air-Cooled RF 13.56MHz * Type: Parallel/Single Wafer Process; Stand-Alone * Gas Lines: 1-3 Lines MFCs. Typical gases are 5 SLM O2, 500 SCCM O2,1000 SCCM N2.

* AW-105R Single-Wafer Photoresist Asher 및 Descum 장비는 고용량 Wafer Fabrication을 위한 유연한 13.56MHz RF Parallel Plate Plasma Photoresist Removal 및 Descum 시스템으로 설계된 자동 장비. * Wafer Uniformity, Uptime, Reliability 및 Production-Proven Technology에 대한 요구에 대응하여 개발 * AW-105R은 깨지기 쉬운 기판을 위해 설계된 통합 로봇 웨이퍼 전송을 갖춘 플라즈마 애쉬/데스컴 시스템 * RF 생성 플라즈마를 사용하여 포토레지스트를 애쉬 처리

- 처리할 웨이퍼는 카세트에 들어 있으며 카세트 스테이션에 장착 - 작업자는 레시피를 선택하고 프로세스 실행 시작 - 로봇(영상참조) 은 카세트에서 웨이퍼를 꺼내 센터링 스테이션에 장착 - 웨이퍼를 챔버에 삽입 - 웨이퍼가 처리되면 카세트로 복귀 





■ AW-105R 응용분야

• GaAs, InP, GaN, SiC 웨이퍼 스트립(주로) • GaAs, InP, GaN, SiC 웨이퍼 Descum (주로) • 박막 헤드 레지스트 청소 • 광전자 장치 청소 • MEMS • 포토레지스트 박리 - 고용량 임플란트(As+, B+, P+) - 재작업 - 포스트 폴리실리콘 - 포스트 메탈 - 포스트 옥사이드 • 제어된 저항 제거 - 개발 후 데스컴 - 균일성 능력(<5% 1 σ) 

■ 특징

• 통합 솔리드 로봇 웨이퍼 처리, 단일 웨이퍼 공정 • 최대 3%~5% 균일성(III-V 재료 에 최적) • 전면 및 후면 등방성 제거 • 일관된 웨이퍼 간 공정 사이클 반복성 • 소자 가열 최대 250℃ • 50mm~150mm 웨이퍼 지원(최대 6.25 ″ 기판) • 하드웨어 변경 없이 최대 4 개 웨이퍼 크기 지원 • 고정 카세트 스테이션 및 웨이퍼 얼라이너/냉각 스테이션 • 50µm 두께의 Wafer 처리 가능 • 소프트웨어가 탑재된 PC 컨트롤러 • Allwin21 SLOPE 기술을 사용한 엔드포인트 감지(EOP)(옵션) • MFC가 장착된 최대 3 가스 라인 • 공랭식 600W MKS 13.56MHz RF 발전기(300W 옵션) • 스로틀 밸브 를 통한 압력 조절 • 15인치 터치스크린 모니터 GUI • EMO, 연동, 감시 기능 • GEM/SECS II(선택 사항) • Small Footprint : 27인치 X 40인치 X 59인치 H (280파운드)









 

■ AW-105R 소프트웨어 키 특징

• 실시간 그래픽 디스플레이, 프로세스 데이터 수집 및 분석 • Closed-Loop 프로세스 매개변수 제어 • 특정 프로세스 요구 사항 에 맞춘 정밀 매개변수 프로필 설정 가능 • 소프트웨어 내부에서 모든 서브시스템 에 대한 프로그래머블 종합 보정 가능 → 보다 빠르고 용이한 Calibration 수행 가능 • 프로세스 반복성 확보를 위한 레시피 생성 → Recipe Editor를 통해 생성 및 수정 가능 → 챔버 내부 웨이퍼 처리 자동화 가능 • 레시피 검증 기능 • 다중 레시피, 프로세스 데이터, 보정 파일 저장 가능 • 비밀번호 를 통한 시스템, 레시피 편집, 진단, 보정, 설정 보안 기능 • 간단한 하고 사용이 쉬운 메뉴 화면 • 기능 문제 해결 → 개별 서브어셈블 및 기능 활성화 가능 → 추가 I/O 및 AD/DA 노출 • DB-25F 병렬(프린터) 포트 → 컴퓨터 는 제어 인터페이스 케이블 1개로 Allwin21 시스템 과 연결됨 • 내부 관제소 에 감시 타이머 내장 → 소프트웨어 와 통신이 끊길 경우 모든 프로세스 를 종료 하고 시스템 정지 • GEM/SECS II 기능(선택 사항) • 프로세스 종료(EOP) 기능(옵션)  

 

웨이퍼 크기

최대 6.25인치

온도

60~250℃ (±2℃)

가스 라인

최대 3 Gas Line with MFC

일반적인 MFC 구성: 5 SLM O2 및 500 SCCM N2

Asher Rate

0.5~1.5 µm/min (200~250℃, Bulk Strip)

600 Å/min (100℃, Descum)

Uniformity

<±8% (Max-Min) Strip

<±5% (Max-Min) Descum

Particulate

<0.05 /cm² (0.03µm 이상)

Selectivity

>1000:1

MTBF / MTTA / MTTR

450 Hours / 100 Hours / 3.5 Hours 이상

95% Uptime




■ AW-105R 구성

• 메인 프레임(회로 차단기, 솔레노이드 밸브 포함) • 소프트웨어가 탑재된 펜티엄 클래스 PC • 키보드, 마우스, USB SW 백업, 케이블 • Chuck with Heat, 펌프 링, 리프트 핀 ① 2-4 inch ② 2-6 inch ③ 4-6 inch ④ 6.125 inch ⑤ 6.25 inch • Center Aligner 및 Cassette Station ① 2 Dimensions ② 4 Dimensions • Anodized Reactor with Door • Chamber Base Plate with Water Sensor • Base Plate 및 Reactor Ceramic Ring • Base Plate 및 Chuck Ceramic Ring • Upper 및 Lower Electrodes • Quartz Showerhead & Diffusion Disk • Main Control 및 Distribution PCBs • 3-Axis Integrated Robust Solid Robot • RF Matching Network with PCBs • 13.56MHz RF Generator ① 300W ② 600W • MFC with In-line Filter 및 Solenoid Isolation Valve • AC/DC Box with Temperature Controller • MKS Baratron with Isolation Valve • Lamp Tower Alarm with Buzzer • Throttle Valve • Main Vacuum Valve • Front EMO, Interlocks • 15-inch Touch Screen GUI




■ AW-105R 옵션

• End-of-Process (EOP) • GEM/SECS II (Software) • Vacuum Pump • Chiller for Chamber Base Plate

■ AW-105R 시설요구사항

• 배관 공정 가스 : O2, N2 • 냉각수 : 1 GPM, <23 ± 2℃ • 시설 배기량 : 100 CFM @ 1" 정압 • 로봇용 진공 공급 장치: 11.8"Hg (-5.8psi) / 0.1 CFM airflow • 전원: 190-240VAC, 단상, 30A, 50/60Hz(NEMA L-6-30P 플러그 포함)

 

목록