Wafer Size: 2″ – 6″ Capability

Wafer Loading: 3-axis Robot; Stationary Cassette Plate (Video)

Plasma Power: 600W Air-Cooled RF 13.56MHz

Type: Parallel/Single Wafer Process; Stand-Alone

Gas Lines: 1-3 Lines MFCs. Typical gases are 5 SLM O2, 500 SCCM O2,1000 SCCM N2.

AW-105R 플라스마 애셔 데스컴 시스템 개요:

AW-105R은 단일 웨이퍼 포토레지스트 제거 분야의 산업 표준이며 GaAs용 매우 성공적인 플라즈마 데스컴 시스템의 주축입니다. 세계 유수의 GaAs IC 생산업체와 협력하여 개발된 AW-105R은 최적의 성능, 비부품 노후화 및 낮은 소유 비용을 위해 설계되었습니다.

AW-105R은 깨지기 쉬운 기판을 위해 설계된 통합 로봇 웨이퍼 전송을 갖춘 플라즈마 애쉬/데스컴 시스템입니다. 고급 Allwin21 AW-105R 제어 소프트웨어로 제어됩니다. RF 생성 플라즈마를 사용하여 포토레지스트를 애쉬 처리합니다.

처리할 웨이퍼는 카세트에 들어 있으며 카세트 스테이션에 놓입니다. 작업자는 레시피를 선택하고 프로세스 실행을 시작합니다. 로봇  ( 비디오 )  은 카세트에서 웨이퍼를 꺼내 센터링 스테이션에 놓습니다. 그런 다음 웨이퍼를 챔버에 넣습니다. 웨이퍼가 처리되면 카세트로 돌아갑니다.

AW-105R은 다른 플라즈마 애셔 디스컴 시스템과 비교해 더욱 견고하고, 신뢰성이 높으며, 주요 전자 부품 중 다수를 현대화했습니다.

AW-105R 제어 소프트웨어는 AW-105R 시스템을 위한 고급 제어 소프트웨어입니다. 이 문서는 제어 소프트웨어의 기능과 교정에 대한 일반적인 논의를 제공합니다.

AW-105R 제어 소프트웨어는 AW-105R 시스템을 완벽하게 제어하고 진단할 수 있습니다. 이를 통해 프로세스의 모든 측면을 자동으로 제어하기 위한 레시피를 만들 수 있습니다. 또한 운영자는 소프트웨어 내에서 시스템을 교정하고 나중에 검토할 수 있도록 모든 프로세스 데이터를 저장할 수 있습니다.

제어 소프트웨어는 Allwin21 시스템을 자동으로 제어하기 위해 레시피라고 알려진 일련의 작동 지침을 사용합니다. 이러한 레시피는 프로세스 엔지니어가 처리 주기의 매개변수를 모니터링하고 제어하기 위해 만듭니다. 그런 다음 운영자는 소프트웨어를 사용하여 프로세스 매개변수(정상 상태 온도, 프로세스 시간, 램프 속도, RF 레벨, 진공 등)를 선택하고 실행합니다. 프로세스 기간은 일반적으로 1~600초이지만 최대 9999초의 기간을 프로그래밍할 수 있습니다.

AW-105R 제어 소프트웨어는 레시피를 생성, 삭제, 복사, 수정, 저장하고 시스템 진단을 실행하는 데에도 사용됩니다.

컴퓨터에는 대용량 하드 드라이브가 있어서 거의 무제한의 레시피와 프로세스 데이터를 저장할 수 있습니다. 프로세스 데이터는 나중에 검색하여 데스크톱 컴퓨터로 가져와서 보고 보고서에 가져올 수 있습니다.

AW-105R 플라스마 애셔 데스컴 시스템 응용 분야 :

• 포토레지스트 스트리핑
  • 고용량 임플란트(As + , B + , P + )
  • 재작업
  • 폴리실리콘 에칭 후
  • 포스트 메탈 에칭
  • 산화 후 에칭
• 제어된 저항 제거
  • 현상 후 디스컴(사전 에칭)
  • 건식/습식 공정 능력
  • 균일성 능력(<5% 1σ)
• GaAs, InP 웨이퍼 스트립 및 데스컴
• 박막 헤드 저항 세척
• 광전자소자 세척
• MEMS(마이크로 시스템 기술) 

AW-105R 플라스마 애셔 데스컴 기본 구성:

1. 반응기 챔버

• 듀얼 쿼츠 플라즈마 분리 배플과 알루미늄 웨이퍼 척을 갖춘 쿼츠 반응기

2. 웨이퍼 크기(맞춤형)

• 50mm(선택 사항), 75mm, 100mm, 125mm, 150mm 실리콘 또는 GaAs 웨이퍼를 처리합니다.
• 박막 헤드 라운드 또는 옵션 기능
• TFH 4.5인치 정사각형 기판
• 최대 6.2인치 GaAs 사파이어 캐리어

3. 가스 제어

• 2개의 독립 가스 스틱 표준, 5 LPM O2 및 1 LPM N2 MFC(맞춤형, 3번째 MFC 옵션)

4. 기판 위치 지정

• 가열된 웨이퍼 척에 직접 기판을 처리하거나 "근접" 온도 제어를 위해 리프트 핀에 올려놓음

5. 압력 제어

• "나비 스타일" 스로틀 밸브와 MKS Baratron 커패시턴스 마노미터를 사용한 정확한 폐쇄 루프 압력 제어

6. 디스플레이

• 터치스크린 모니터

7. 제어 시스템: 고급 AW 소프트웨어는 다음을 제어합니다.

• 가스 흐름: 최대 3개의 독립적인 질량 흐름 컨트롤러 값에 대한 설정
• RF 전력: 100~500와트
• 공정 압력
• 절대 종료 시간
• 시간 초과 오버스트립
• 각각 최대 4시간의 시간 제한 사이클
• 온도 설정점
• 웨이퍼 핀 위/아래
• 광학적 종점 매개변수
• 모든 하위 시스템의 자동 교정
• 하위 어셈블리 수준까지의 문제 해결
• 프로그래밍된 종합 교정 및 내장 진단 기능
• 전자동 웨이퍼 가공을 위한 레시피 생성
• 부적절한 레시피 및 프로세스 데이터의 자동 거부
• 다중 레벨 암호 보호
• 다양한 레시피와 시스템 기능 저장
• 실시간 프로세스 데이터 수집, 디스플레이, 분석
• 실시간 그래픽 디스플레이
• 하드 드라이브에 프로세스 데이터 및 레시피 저장
• GEM/SEC II 기능(선택 사항)

8. 전원 공급 모듈 기능

• 위치 : 일반적으로 프로세스 모듈 아래에 쌓임
• 제어 : EMO 및 주 전원 켜기/끄기
• 회로 차단기
  • AC 메인
  • RF 생성기
  • 온도 조절 모듈
  • 로봇, PC, 모니터용 AC

9. 통합 솔리드 로봇  

Diamond 시리즈 대기 로봇은 웨이퍼 핸들링 장비의 설계와 안정성에 있어서 중요한 엔지니어링적 진보를 나타냅니다. 기술적으로 우수한 구성 요소의 이점을 활용하는 이 로봇은 초저관성, 고응답 무브러시 서보모터와 백래시가 없는 Harmonic Drive® 기어를 결합하여 크게 향상된 민첩성과 정밀성을 달성합니다.

• 인코더
  • 증분형, 10000, 펄스/회전
• 모터 유형
  • 무브러시, 저관성, 고응답
• 무게
  • 7인치 수직 이동, 5.25인치 x 5.25인치 암의 경우 40.7파운드(18.5kg)
• 작동 온도
  • 화씨 50도-104도(섭씨 10도-40도)
• 축 반복성
  • 중간 : ±0.01°
  • 오른쪽: ±0.001”
  • Z: ±0.001”

AW-105R Plasma Asher Descum System Specifications:

Typical Process and Performance

Rate: 1.5um/min at 30 sec partial strip

Uniformity: ±5% (max-min) 6mm edge exclusion.

Temperature: 250 ºC (±5 ºC)

Process Parameters and condition:

                Pressure: 4.0 torr

                Power: 425w

                Gas Flow: O2 1.75 liters

                Resist Type: AZ1350J

                Thickness:1.5um

                Bake Temp:120 ºC

Performance Specifications

• Rate:    0.5-1.5 um/min at 200 to 250 ºC, bulk strip.600 A/min at 100 ºC, Descum
• Removal Uniformity:     <±8% (Max-Min) Strip,<±5% (Max-Min) Descum
• Temperature Control:    80-250 ºC (±2 ºC)
• Process Range (For bulk strip application)

                        Pressure :        3.0 to 5.0 torr

                        Power:           250-475W

                        Flow:             1.0-2.5 liters O2

                        Endpoint:          Diode array

• Particulate:              2 (0.03um or greater)
• Damage

                        CV:              

                        Mobile Ion:         10

                        Vt                0% total shift on 98% of points ,tested, no shift >5%

AW-105R Plasma Asher Descum Equipment Facilities Requirements:

• Process Module
  • Oxygen(typical): up to 5 LPM, house filtered supply,
  • Nitrogen(typical): up to 1 LPM house filtered supply,
  • Nitrogen: 20 psi ,house filtered supply,for purge
  • Dry nitrogen or CDA: 80psi house supply; filtered
  • Cooling water: 1GPM house circulating supply @
  • Facility Exhaust: 100 CFM @ 1” static pressure
  • Vacuum supply for Robot
    11.8”Hg(-5.8psi) / 0.1CFM airflow
• Power Supply Module
  • Power: 190-240VAC,
  • single phase, 30A,
  • 50/60Hz, NEMA L-6-30P plug supplied
• Process Vacuum
  • Min. pump speed 32 CFM